RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Note globale
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1668
2629
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link