RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2629
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link