RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
41
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1668
2797
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link