RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
41
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2797
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link