Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.7 left arrow 10.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.9 left arrow 7.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 8500
    Autour de 2.26 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.9 left arrow 16.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.1 left arrow 11.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1668 left arrow 2948
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons