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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1668
2948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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