RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link