RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1762
3837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link