RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB против G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.9
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1762
3837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link