RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB против G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.9
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1762
3837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link