RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Note globale
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
90
Autour de -173% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,140.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
90
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,699.0
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,140.4
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
436
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link