RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
90
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,140.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
90
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,699.0
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,140.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
436
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link