RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
60
Autour de -150% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,755.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,813.5
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,755.7
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
591
2925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link