RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
65
Autour de -110% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2307
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link