RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs AMD R748G2400S2S 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
AMD R748G2400S2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
135
Autour de 52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R748G2400S2S 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
135
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
1359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link