RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
65
Autour de -183% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2763
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link