RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
65
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3465
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link