RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
65
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3150
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link