RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
65
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2853
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link