RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
65
Autour de -51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
43
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2885
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link