RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
65
Autour de -110% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2918
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link