RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
65
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.8
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
40
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
8.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
1777
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link