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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
65
Autour de -183% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3152
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
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