RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
65
Autour de -55% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
42
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2715
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link