RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
65
Autour de -132% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3474
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link