RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
65
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3268
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link