RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
65
Autour de -14% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
57
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2377
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link