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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
65
Autour de -195% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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