RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
65
Autour de -242% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3290
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link