RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3474
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link