RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
71
Autour de 66% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
71
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1866
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link