RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link