RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
75
Autour de 68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
75
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1590
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link