RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3618
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link