RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2787
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link