RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
24
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
18
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3180
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link