RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
36
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2970
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link