RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link