RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2652
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link