RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
37
Autour de 35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2697
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link