RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
24
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link