RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
37
Autour de 35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2804
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link