RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
79
Autour de 70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
79
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1330
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link