RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
30
Autour de 20% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
16
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link