RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link