RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.5
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3889
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link