RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
24
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
18
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3575
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link