RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
67
Autour de 64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
67
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link