RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
107
Autour de 78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
107
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
4.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link