RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link