RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
65
Autour de 63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
65
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1820
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link