RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2597
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link